型号:SP8M6TB | 类别:FET - 阵列 | 制造商:Rohm Semiconductor |
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 描述:MOSFET N+P 30V 3.5A 8-SOIC |
详细参数
类别 | FET - 阵列 |
---|---|
描述 | MOSFET N+P 30V 3.5A 8-SOIC |
系列 | - |
制造商 | Rohm Semiconductor |
FET型 | N 和 P 沟道 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 5A,3.5A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 51 毫欧 @ 5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 2.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 3.9nC @ 5V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 230pF @ 10V |
功率_最大 | 2W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOIC N |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
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